合成碳化硅Synthetic Moissanite又名合成莫桑石合成碳硅石化学成分SiC，色散0104比钻石0044大，折射率265269钻石242，具有与钻石相同的金刚光泽，“火彩”更强，比以往任何仿制品更接近钻石这是。

欧洲也拥有完整的SiC衬底外延器件以及应用产业链，日本则在SiC模块和应用开发方面占据领先优势 中国目前已具备完整的碳化硅产业链，在材料制备和封测应用等部分环节具有国际竞争力汽车人可以预见，最终两者都将演绎中国奋起直追。

第三代半导体材料主要包括氮化镓GaN和碳化硅SiC等，其中碳化硅和氮化镓的结晶加工技术，在大规模生产上取得了显著成绩此外，配合石墨烯黑磷等新型二维材料的出现，以及氧化物半导体等全新材料的研发，也为第三代半导体。

碳化硅外延晶片即以碳化硅单晶作为衬底生长的外延片碳化硅外延晶片使用领域行业外延晶片主要用于各种分立器件的制作，比如SBDMOSFETJFETBJTSIT和MESFET等，这些器件广泛应用于各个领域，如白色家电混合及纯电动汽车。

SiC外延 通常用化学气相沉积CVD方法制造，根据不同的掺杂类型，分为n型p型外延片国内瀚天天成东莞天域已能提供4寸6寸SiC外延片SiC器件 国际上600~1700V SiC SBDMOSFET已经实现产业化，主流产品耐压。